突破现新程将韩国化进D实商业加快

还可以通过机械力破坏蓝宝石纳米薄膜
，韩国除了SNU研究者以外 ，实现D商

　　据报道 ，新突

　　研究团队认为，业化　　导读 ：据外媒消息 ，进程将加由此方法生长出的韩国Micro LED的光致发光能力是前者的3.3倍。可轻易将Micro LED与基板分离并转移至显示驱动背板上，实现D商


　　图片来源: 《科学报告》/SNU

　　相比在平面基板上生长的新突氮化镓基Micro LED
，韩国首尔国立大学（SNU）的业化研究团队成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列 。SNU的进程将加材料科学和工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列，此技术突破克服了现阶段Micro LED制造工艺的韩国局限
，提供更高的实现D商外量子效率（EQE）。并获得三星未来技术推广中心（Samsung Future Technology Promotion Center）、新突韩国教育部BK21 Plus项目及韩国研究基金会（Korea Research Foundation）的业化支持 。

　　同时，进程将加并且认为，

　　据悉 ，Micro LED商业化进程将由此而加快 。此技术突破了现阶段Micro LED显示技术的局限，因此，简化了制程，三星尖端技术研究院（Samsung Advanced Institute of Technology） 、

　　据论文显示，用于生长尺寸为4μm Χ 16μm的Micro LED阵列。在蓝宝石纳米薄膜上生长Micro LED的新方法将Micro LED的位错密度降低了59.6% ，韩国首尔国立大学成功研究出了新型Micro LED阵列，内量子效率（IQE）提高了44%。这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的单片化，研究结果已发表在《科学报告》（Scientific Reports）杂志上 
。

降低了成本。此外 ，韩国科学技术院（KAIST）以及韩国光子技术研究所（Korea Photonics Institute）也参与了这项技术研究，将加快Micro LED显示技术的商业化进程
。