美企米良3纳台积携手希望改善赶超三星率，电

    三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的星携问题，    援引韩媒Naver报道 ，手美善纳并取得了令人满意的米良结果。三星电子先进制程良率非常低 ，率希这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术。望赶

    IT之家了解到，超台三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间 ，积电据报道，星携量产进度陷入瓶颈 。手美善纳因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作 ，米良以提高其半导体芯片在生产过程中的率希良率 ，据传三星3纳米解决方案制程自量产以来，望赶以便于在3纳米工艺上赶超台积电。超台



    报道中称，积电自5纳米制程开始一直存在良率问题，星携良率不超过20% ，在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕。帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进 。

是由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的。三星已经与美国的SiliconFrontlineTechnology公司合作，该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的技术。该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上。ESD是造成半导体芯片缺陷的主要原因之一，