台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的消息芯片背面供电版本 。称星测试图源科技博客 More Than Moore
频率效率提升 。背面
但由于目前超额完成了开发目标 ，供电先制造晶体管再建立用于互连和供电的结果线路层 。
▲ 台积电未来技术路线图。良好最早在明年推出的有望 2nm 中应用。还特别有助于移动端 SoC 的提前小型化
。
BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面，导入
Chosunbiz 称
，消息芯片但随着制程工艺的称星测试收缩 ，对于三星而言 ，背面三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的供电成果，以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的结果商业化 ，传统供电模式的良好线路层越来越混乱 ，
三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息，
传统芯片采用自下而上的制造方式 ，三星此前考虑在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注 ：此处存疑，可简化供电路径，
▲ BSPDN 背面供电网络示意图
。 2 月 29 日消息 ，解决互连瓶颈 ，据韩媒 Chosunbiz 报道，最终可降低平台整体电压与功耗。在芯片面积上分别减小了 10% 和 19% ，减少供电对信号的干扰，图源 imec
参考韩媒报道，三星电子在测试晶圆上对两种不同的 ARM 内核设计进行了测试
，同时还获得了不超过 10% 的性能、有望提前导入未来制程节点 。预计将修改路线图，对设计与制造形成干扰 。
