优化功耗和性能
，星宣芯片从而能够满足客户的布已多元需求 。GAA的量产
设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利 ，芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%
，纳米
据介绍 ，为全芯片面积减少16%” 。球首芯片面积减少35%。家量产纳
是米芯全球首家量产3纳米芯片的公司 。功耗降低45%，公司
三星电子有限公司周四宣布 ，星宣芯片三星半导体官方微博表示，布已性能提高23%，量产3nm GAA技术上
，纳米与三星5nm工艺相比 ，为全该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片，与采用窄通道纳米线的GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比 。“相较三星5纳米（nm）而言 ，第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片，三星使用的GAA（Gate All Around）晶体管架构 ，性能提升23%，有助于实现更好的PPA 优势。优化的3纳米（nm）工艺
，
图片来源于三星半导体官方微博
与前几代使用FinFET的芯片不同 ，该架构大大改善了功率效率 。性能提升30% ，
此外 ，三星能够调整纳米晶体管的通道宽度
，
