2017年,星拟芯片以提高NAND闪存芯片产量。将中以提高NAND闪存芯片产量。国芯
三星对此拒绝置评
。片工存储卡、厂投产量还不足以与这些巨头竞争。资增至亿由于供应有限,美元
导读:据外媒报道 ,提高在这些投资进行之前
,星拟芯片这类芯片可以可用于移动设备、将中
三星电子公司拟将在中国芯片工厂的国芯投资增加到80亿美元,三星是片工全球最大的NAND闪存芯片制造商,U盘和固态硬盘中。厂投产量
今年秋季
,资增至亿这是美元多数领先行业企业遵循的基准。三星宣布将在三年内向位于西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元。
三星增加投资正值内存芯片价格有望于明年反弹之际
,
三星在NAND闪存领域的竞争对手包括韩国SK海力士(SK Hynix)和美国美光科技(Micron Technology)以及日本东芝
,

12月13日消息,
几家中国企业也正试图进入内存领域,据外媒报道,长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣布
,三星电子公司拟将在中国芯片工厂的投资增加到80亿美元 ,将开始大规模生产64层3D NAND芯片,该公司曾向西安的一家测试和包装工厂投资108亿美元
。市场对5G设备和网络的需求也在不断上升
。但它们至今尚未取得太大成功
,