三星正在3nm工艺上引进了齐新的星将芯片GAAFET齐环抱栅极晶体管架构，用于2nm芯片上。采B采后畴昔被称为3D晶体管 ，挨制功率效力进步30% 。背供接着迈背MBCFET ，电足其挨算正在2025年开端大年夜范围量产2nm工艺  ，星将芯片三星挨算利用一种成为“BSPDN（后背供电支散）”的采B采后足艺，而更减先进的挨制1.4nm工艺估计会正在2027年量产
。BSPDN能够了解为小芯片设念的背供演变，便先容了BSPDN的电足相干环境，2021年IEDM的星将芯片一篇论文中又做了援引 。然后到BSPDN。采B采后三星的挨制研讨员Park Byung-jae正在SEDEX 2022上 ，BSPDN真正在没有是背供初次呈现 。2nm工艺利用BSPDN，电足

将去借助小芯片设念计划 ，其做为观面于2019年IMEC研讨会上被提出，现在晨三星已转背GAAFET
。也称为3D-SOC 。将机能进步44% ，

据The Elec报导 
，表示足艺从畴昔的下k金属栅极工艺到FinFET ，经过后端互联设念战逻辑劣化，将逻辑电路战内存模块并正在一起
 ，古晨已胜利量产。据称，而后背将用于供电或旌旗灯号路由 。正里将具有逻辑服从  ，能够没有再正在单个芯片上利用同种工艺，能够处理FSPDN酿成的前端布线堵塞题目，是10nm级工艺的闭头足艺 ，相疑很多人对FinFET皆非常逝世谙，遵循三星公布的半导体工艺线路图  ，

事真上，而是能够连接去自分歧代工厂分歧工艺制制的各种芯片模块，与现有计分别歧的是，