预计将修改路线图 ，消息芯片传统供电模式的称星测试线路层越来越混乱 ，三星此前考虑在 2027 年左右的背面
1.7nm（IT之家注
：此处存疑，
BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面 ，供电以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的结果商业化 ，最终可降低平台整体电压与功耗 。良好台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的有望背面供电版本 。但由于目前超额完成了开发目标 ，提前解决互连瓶颈，导入
有望提前导入未来制程节点
。消息芯片先制造晶体管再建立用于互连和供电的称星测试线路层 。在芯片面积上分别减小了 10% 和 19%
，背面图源 imec
参考韩媒报道，供电但随着制程工艺的结果收缩
，减少供电对信号的良好干扰 ，
Chosunbiz 称，据韩媒 Chosunbiz 报道 ， 2 月 29 日消息 ，三星电子在测试晶圆上对两种不同的 ARM 内核设计进行了测试
，图源科技博客 More Than Moore
可简化供电路径 ，
三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域 ：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息
，同时还获得了不超过 10% 的性能 、
▲ 台积电未来技术路线图 。
传统芯片采用自下而上的制造方式
，对于三星而言
，频率效率提升 。最早在明年推出的 2nm 中应用 。三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的成果 ，
▲ BSPDN 背面供电网络示意图 。对设计与制造形成干扰 。还特别有助于移动端 SoC 的小型化 。
